p cn平台_p c耐力板多少钱

*** 次数：1999998 已用完，请联系开发者***

纳龙健康取得基于对抗学习的P波识别相关专利,解决现有技术对P波...金融界2024年8月30日消息,天眼查知识产权信息显示,纳龙健康科技股份有限公司取得一项名为“一种基于对抗学习的P波识别方法、终端设备及存储介质“,授权公告号CN112001481B,申请日期为2020年8月。专利摘要显示,本发明涉及一种基于对抗学习的P波识别方法、终端设备及存...

↓。υ。↓ 时创能源取得一种 POLO-IBC 电池的制备方法专利,提高了 P 型区铝浆...授权公告号 CN115020533B,申请日期为 2022 年 4 月。专利摘要显示,本发明公开了一种 POLO‑IBC 电池的制备方法,利用非晶硅和 poly 硅掺杂和氧化的差异,对局部晶化后的背面进行整面掺杂,晶化掺杂的区域做 N 型区,非晶化区难掺杂且易腐蚀,直接腐蚀非晶硅到隧穿层,做 P 型区;本...

...电池专利,能制备得到(Mn+Fe)/P 比可控、杂质含量低的磷酸锰铁产品公开号 CN202410255122.9,申请日期为 2024 年 3 月。专利摘要显示,本发明提供一种磷酸锰铁的制备方法,以锰源、包含磷酸铁和/或二水磷酸... /P 比,加入磷酸锰铁铵浆料进行陈化重结晶处理后,经后处理能得到合适(Mn+Fe)/P 比的磷酸锰铁。本发明的制备方法能通过控制原料中磷酸铁...

●▂●

江苏宜兴德融取得一种太阳能电池专利,提高了 GaInP/GaAs/InGaAs ...金融界 2024 年 8 月 27 日消息,天眼查知识产权信息显示,江苏宜兴德融科技有限公司取得一项名为“一种太阳能电池“,授权公告号 CN20231... P 型的 GaAs 基区、由循环层叠结构组成的 DBR 结构以及 P 型掺杂的背场层。本申请解决了在 AM0 光谱下,因 GaAs 中电池电流密度偏低限...

⊙▽⊙

儒兴科技取得一种用于高方阻TOPcon电池P+面的银铝浆及其制备方法...金融界2024年8月20日消息,天眼查知识产权信息显示,广州市儒兴科技股份有限公司、无锡市儒兴科技开发有限公司、广州市儒兴新材料科技有限责任公司取得一项名为“一种用于高方阻TOPcon电池P+面的银铝浆及其制备方法“,授权公告号CN114822908B,申请日期为2022年4月。专...

ˇ▽ˇ 华曙高科获得外观设计专利授权:“高分子粉末管理系统(FS-PMS-02P)”证券之星消息,根据天眼查APP数据显示华曙高科(688433)新获得一项外观设计专利授权,专利名为“高分子粉末管理系统(FS-PMS-02P)”,专利申请号为CN202330795020.2,授权日为2024年8月16日。专利摘要:1.本外观设计产品的名称:高分子粉末管理系统(FS‑PMS‑02P)。2.本外观...

比亚迪申请晶体管和用电设备专利,提高晶体管的耐压稳定性金融界2024年9月3日消息,天眼查知识产权信息显示,比亚迪股份有限公司申请一项名为“晶体管和用电设备“,公开号CN202410683547.X,申请日期为2024年5月。专利摘要显示,一种晶体管和用电设备,晶体管包括P+型屏蔽层、肖特基电极、N型接触区;其中,P+型屏蔽层包括第一面;肖特...

太钢不锈申请一种易加工高硬化奥氏体不锈钢及其制造方法专利,屈服...公开号 CN202410632046.9 ,申请日期为 2024 年 5 月。专利摘要显示,本发明属于奥氏体不锈钢技术领域,涉及一种易加工高硬化奥氏体不锈钢及其制造方法。本发明提供的易加工高硬化奥氏体不锈钢,按重量百分比计,包括:C≤0.12%,Si≤1.00%,Mn:2.50%～4.50%,P≤0.045%,S≤0.03...

...P区终端结构正、反向阻断的终端电压效率比常规负斜角终端分别高。公开号CN202410707484.7,申请日期为2024年6月。专利摘要显示,本发明提供了一种逆阻型门极换流晶闸管RB‑GCT器件波状终端结构及其制造方法,在有源区,从上往下依次设置有阴极铝层和门极铝层、阴极N+区、阴极P区、阴极P‑区、N‑基区、阳极P‑区、阳极P+区和阳极铝层...

成都华微申请“一种 SARADC 的分裂式电容阵列及开关方法”专利,...公开号 CN202410628981.8,申请日期为 2024 年 5 月。专利摘要显示,一种 SAR ADC 的分裂式电容阵列及开关方法,涉及集成电路技术领域,电容阵列主要构成为:包括 P 端和 N 端电容阵列,每个电容阵列均包括两个相同的高段电容组和两个相同的低段电容组;每个高段电容组由高段二进...