v翻p墙n_v翻领短袖

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捷捷微电取得一种带有过压斩波特性的可控硅芯片及其制备方法专利,...芯片包含中部的N型长基区N1,P型短基区P2、P3、P4、P5、P6、P7,隔离墙P1,扩磷区域N2(或扩磷区域N2、N3、N4)等。尤其所述的:P型短基区P4与P2、P3之间由N型长基区N1隔开,P型短基区P7与P5、P6之间由N型长基区N1隔开;P型短基区P4、P7与N型长基区N1形成可控硅的斩...

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东微半导申请半导体功率器件制造方法专利,可在n型外延层内形成浅沟槽包括:在n型外延层内形成浅沟槽;在所述浅沟槽的侧壁处形成绝缘侧墙;在所述n型外延层内形成栅沟槽;在所述栅沟槽内形成栅极结构;进行倾斜的p型离子注入并退火,在所述n型外延层内形成p型体区;进行倾斜的n型离子注入,在所述p型体区内形成n型源区;淀积形成绝缘介质层并刻蚀形成接...

东微半导申请半导体超结功率器件及其制造方法专利,实现短沟道的...包括:n型半导体层;凹陷在n型半导体层内的多个柱状绝缘层;位于n型半导体层内且位于所述柱状绝缘层的侧壁及底部位置处的p型掺杂区;位于n型半导体层内且位于柱状绝缘层两侧的p型体区,p型体区内设有n型源区;控制p型体区内的电流沟道的开启和关断的栅极结构。本发明的半导体超...